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Gate turn-off tiristore |
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Contorno GTO (Gate-Turn-Off tiristore) è un tiristore turn-off cancello Insomma, è un derivato di tiristori. Tuttavia, l'applicazione di un impulso di corrente negativo può essere estremamente spento dalla porta in modo che sia completamente dispositivi controllati. E la struttura generale del tiristore GTO GTO come una struttura a quattro strati semiconduttori PNPN, ma anche l'anodo esterno. Catodo e il cancello. Ma la differenza è che tiristore ordinaria, GTO è una diversificata dispositivi integrati di potenza. Mentre i tre fili esterni molto simili, ma l'interno contengono decine o centinaia di piccole cellule GTO anodo, catodo e l'elettrodo di gate di queste unità GTO all'interno del dispositivo in parallelo, per ottenere l'arresto e la sua progettazione varco controllato .E la struttura interna dei elettrici simboli grafici opere GTO GTO Dalla figura si PNP e NPN Transistor V1 V2 costituisce l'attuale guadagno due rispettiva base di a1 e a2. 1 Quando a1 a2 = 1, la condizione è dispositivi di conduzione critici. 2 Quando a1 a2 quando> 1, è a due condizioni troppo saturi transistor di conduzione. 3 Quando a1 a2 <1, è in grado di mantenere condizioni di conduzione e arresto saturi. Modifica questo paragrafo ordinario tipo GTO tiristore 1) Quando il dispositivo è progettato in modo che a2 maggiore transistor di controllo V2 così sensibile, così GTO può essere facilmente fuori. 2) tale che a1 a2 e una tendenza tiristore ordinaria a1 a2> = 1,15, il GTO è di circa 1,05, in modo che, durante le GTO non livello di saturazione profondo, più vicino alla soglia di saturazione, il controllo gate turn-off è fornito una condizione di forte. Fattori sfavorevoli, la conduzione è la caduta di pressione aumenta. 3) Struttura integrata da una piccola zona catodo di ciascuna unità GTO distanza tra gate e catodo è molto più breve, rendendo la resistenza laterale è piccola base P2, in modo che il cancello disegnare grande corrente possibile. 4) E 'più veloce di normale processo di apertura del tiristore, una forte capacità di sopportare la tensione. Modificare i parametri principali di questo paragrafo GTO (1) l'arresto massima anodo corrente IATO (2) guadagno di corrente shutdown βOff = IATO / IGM IgM è impulso di gate negativa corrente massima βOff generalmente solo circa 5 che è il principale svantaggio del GTO (3) il tempo del tempo di apertura Ton iniziale rappresenta il ritardo e il tempo di salita. Tempo di ritardo del GTO è generalmente 1 ~ 2us, il tempo di salita aumenta assieme al valore di stato della corrente anodica aumenta. (4) tempo di spegnimento Toff off tempo si riferisce al tempo di conservazione e di caduta e senza includere il tempo di coda. Il tempo di conservazione con la corrente anodica GTO valore aumenta, tempo di caduta è generalmente inferiore 2us. |
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